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未来碳化硅革命性进展

发布日期:2017-12-11 11:53:56 浏览次数:

         第三代半导体材料主要包括以氮化镓(GaN)为代表的宽禁带Ⅲ族氮化物、以碳化硅(SiC)为代表的宽禁带Ⅳ族化合物以及宽禁带氧化物,具备击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能,是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”,在半导体照明、新一代移动通信、新能源并网、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景,正在成为全球半导体产业新的战略高地。

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